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J-GLOBAL ID：200903085937804580

ウエハ研削方法

Inventor： 高 橋 和 弘 ,  田 口 克 久 ,  江 部 和 義
Applicant, Patent owner： リンテック株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997175916
Publication number (International publication number)：1999026406
Application date： Jul. 01, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 極薄のICチップを歩留りよく製造することが可能なウエハの研削方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係るウエハ研削方法は、回路が形成されたウェハ表面に、エネルギー線硬化型粘着シートを貼付し、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化させた後、該粘着シートがウエハ表面に貼付された状態でウエハの裏面を研削することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

回路が形成されたウェハ表面に、エネルギー線硬化型粘着シートを貼付し、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化させた後、該粘着シートがウエハ表面に貼付された状態でウエハの裏面を研削することを特徴とするウエハ研削方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• シリコンウェハーのバックグラインド方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-163257   Applicant：日立化成工業株式会社
• 半導体ウェーハの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-006267   Applicant：株式会社ディスコ
• 特開昭60-189938