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J-GLOBAL ID：200903085976993854

処理装置

Inventor： 長谷川 誠 ,  斉藤 豪 ,  樋口 文彦 ,  天野 秀昭
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054671
Publication number (International publication number)：1995240406
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 変動する磁場の影響下で被処理体に対し所定の処理を施すように構成された装置が複数存在していても、磁場漏洩量が大きくならず、周辺の電子顕微鏡などに悪影響を与えない。【構成】 プロセスチャンバ9、10内の被処理体に対して、平行な回転磁場を形成するために、駆動回転するように設けられた永久磁石61、61’の磁極を、各磁界の向きが互いに打ち消されるように配置させ、かつこれら永久磁石61、61’の回転を同一方向に同期化させる。

Claim (excerpt)：

気密に構成された処理室と、この処理室に対応して設けられた磁場変動装置とを有し、前記磁場変動装置によって発生させた変動磁場の影響下で、前記処理室内における被処理体に対して、所定の処理を行う如く構成された処理装置であって、前記処理室が1つの装置本体に複数設けられ、各処理室毎に発生した各変動磁場における各磁界の向きが互いに打ち消されるように、前記各磁場変動装置が構成されたことを特徴とする、処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/35 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-051117   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-152250
  
• 特開平2-085364