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J-GLOBAL ID：200903085979171600

半導体製造装置、半導体製造方法及び電子機器

Inventor：
塩谷 喜美

About 塩谷 喜美


Applicant, Patent owner：
塩谷 喜美

About 塩谷 喜美


Agent (1)： 沢田 雅男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006268429
Publication number (International publication number)：2008091469
Application date： Sep. 29, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：
【課題】薄膜の絶縁物バリアー膜を緻密にして、上記リーク電流の増加を十分に防止できるようにする。【解決手段】ウェハ7に形成されている配線接続孔に対して絶縁体バリアー膜を形成する手段1031等と、絶縁体バリアー膜に紫外線を照射する手段3等とを有する。詳しくは、ウェハ7が載置されるヒーター6が設置される第一領域Bと、ヒーター6上のウェハ7に紫外線を照射するランプ3が設置される第二領域Aとの間を仕切る仕切り板1068と、第二領域Aに配置されていてクリーニングを行うプラズマ発生用の電極1064とを備える。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
ウェハに形成されている配線接続孔に対して絶縁体バリアー膜を形成する手段と、 前記絶縁体バリアー膜に紫外線を照射する手段とを有する半導体製造装置。
IPC (2)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01L21/31 B ,  H01L21/316 P
F-Term (29)：
5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045EB06 ,  5F045EB08 ,  5F045EK11 ,  5F045EK19 ,  5F045HA18 ,  5F045HA24 ,  5F045HA25 ,  5F058BA02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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