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J-GLOBAL ID：200903056583192337

積層構造体並びに半導体装置及びその製造方法

Inventor：
肱岡 健一郎

About 肱岡 健一郎

, 
竹内 常雄

About 竹内 常雄

, 
伊藤 文則

About 伊藤 文則

, 
林 喜宏

About 林 喜宏


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 丸山 隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003417163
Publication number (International publication number)：2005175405
Application date： Dec. 15, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：
【課題】 少なくともシリコンを含有する絶縁膜の積層構造を有する半導体装置において、実効誘電率を著しく上昇させることなく、かつ、リーク電流を抑制しつつ、隣接する絶縁膜同士の密着性に優れた絶縁膜の積層構造を提供する。【解決手段】 互いに組成、或いは組成比の異なる、少なくともシリコンを含有する絶縁膜の積層構造に対し、酸素を含有する雰囲気において紫外線照射を行うことにより、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の接触界面を挟んで、第1の絶縁膜に第1の遷移層、第2の絶縁膜に第2の遷移層が形成されている膜積層構造を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
それぞれが少なくともシリコンを含有し、重ねて形成された第1及び第2の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の一部を変質させることにより前記第2の絶縁膜との界面に形成された第1の遷移層と、 前記第2の絶縁膜の一部を変質させることにより前記第1の絶縁膜との界面に形成された第2の遷移層とを有し、 前記第1及び第2の遷移層に共通して含まれる少なくとも一種類の元素の含有率は、前記第1の遷移層では前記第1の絶縁膜と、前記第2の遷移層では前記第2の絶縁膜とそれぞれ異なることを特徴とする積層構造体。
IPC (2)：
H01L21/316 ,  H01L21/768
FI (2)：
H01L21/316 M ,  H01L21/90 M
F-Term (55)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF01 ,  5F058AF02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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