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J-GLOBAL ID：200903085984430923

集積半導体装置及びその製造方法

Inventor： 久本 大 ,  寺澤 恒男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002026278
Publication number (International publication number)：2003229575
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】微細な縦型薄膜を用いたMOSFETを集積する集積半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板上の半導体層を縞状のパターンに加工し、周期を持った縦型の薄膜を形成し、縞状のパターンと交差する方向に少なくとも一辺を持つパターンA、B、Cにより、縦型の薄膜の一部分を除去し、残された縦型の薄膜の所望の部分の両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成するようにした集積半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上の半導体層を縞状のパターンに加工し、周期を持った縦型の薄膜を形成する工程、上記縞状のパターンと交差する方向に少なくとも一辺を持つパターンにより、上記縦型の薄膜の一部分を除去する工程及び残された上記縦型の薄膜の所望の部分の両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする集積半導体装置の製造方法。

IPC (10)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11

FI (9)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 29/78 613 B

F-Term (74)：

5F046AA11 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17 ,  5F048AA01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA09 ,  5F048BB02 ,  5F048BB04 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01 ,  5F048BD06 ,  5F048BE08 ,  5F048BF03 ,  5F048BG14 ,  5F048DA18 ,  5F048DA21 ,  5F083BS03 ,  5F083BS11 ,  5F083BS12 ,  5F083BS15 ,  5F083BS23 ,  5F083BS24 ,  5F083BS31 ,  5F083BS35 ,  5F083BS44 ,  5F083GA09 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA15 ,  5F110AA04 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE29 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG29 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ14 ,  5F110HK09 ,  5F110HM17 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN37 ,  5F110NN65 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-324607   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-060526   Applicant：セイコー電子工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-161425   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-224740   Applicant：株式会社東芝