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J-GLOBAL ID：200903085994921810

半導体電極とそれを用いたエネルギ変換システム

Inventor： 岩崎 靖和 ,  大井 亮 ,  佐山 和弘 ,  杉原 秀樹 ,  柳田 真利 ,  阿部 竜
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (6)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005257889
Publication number (International publication number)：2007070675
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】 光エネルギ変換効率を高め、さらに低コスト化した半導体電極を提供する。また、光エネルギ変換効率を向上させたエネルギ変換システムを提供する。 【解決手段】 半導体材料から形成される半導体層3と、半導体層3上に設けられた金属元素イオンから形成される金属イオン層4と、を含むことを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体材料から形成される半導体層と、前記半導体層上に設けられた金属元素イオンから形成される金属イオン層と、を含むことを特徴とする半導体電極。

IPC (9)：

C25B 11/06 ,  B01J 35/02 ,  B01J 23/68 ,  B01J 23/648 ,  B01J 23/26 ,  B01J 23/847 ,  C01B 3/04 ,  H01L 21/28 ,  C25B 1/04

FI (9)：

C25B11/06 B ,  B01J35/02 J ,  B01J23/68 M ,  B01J23/64 102M ,  B01J23/26 M ,  B01J23/84 301M ,  C01B3/04 A ,  H01L21/28 301B ,  C25B1/04

F-Term (42)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA36A ,  4G169BA48A ,  4G169BB06B ,  4G169BC32B ,  4G169BC33B ,  4G169BC58B ,  4G169BC66B ,  4G169BC71B ,  4G169BC72B ,  4G169CC33 ,  4G169DA06 ,  4G169EA11 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FB14 ,  4G169FB23 ,  4G169FB30 ,  4G169HA01 ,  4G169HB06 ,  4G169HC29 ,  4G169HE09 ,  4K011AA20 ,  4K011AA66 ,  4K011DA01 ,  4K011DA10 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021DA13 ,  4K021DC03 ,  4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104GG05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-065743
  
• 光触媒性を有する酸化亜鉛皮膜及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-217634   Applicant：大阪市, 上村工業株式会社
• 光触媒膜及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-252884   Applicant：株式会社ブリヂストン
• 可視光応答性の膜状多孔質半導体光電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-280421   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 水分解のための光触媒材料の開発