Pat
J-GLOBAL ID:200903086001107183
光学活性ジヒドロキシビフェニル誘導体の製造法及び使用
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995297995
Publication number (International publication number):1997143113
Application date: Nov. 16, 1995
Publication date: Jun. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】 光学活性ジヒドロキシビフェニル誘導体を簡単な操作で、高純度かつ高収率で得ることができる工業的に有利な製造法を提供する。【解決手段】 ジヒドロキシビフェニル誘導体のラセミ体と光学活性なホスト化合物を混合して、ジヒドロキシビフェニル誘導体の一方の光学異性体と光学活性なホスト化合物との包接化合物を形成させ、この包接化合物からジヒドロキシビフェニル誘導体の一方の光学異性体を分離して得る。
Claim (excerpt):
下記の式(1)で表されるジヒドロキシビフェニル誘導体のラセミ体と光学活性なホスト化合物を混合して、ジヒドロキシビフェニル誘導体の一方の光学異性体と光学活性なホスト化合物との包接化合物を形成させ、この包接化合物からジヒドロキシビフェニル誘導体の一方の光学異性体を分離して得ることを特徴とする光学活性ジヒドロキシビフェニル誘導体の製造法。【化1】(式中、R1 〜R5 はそれぞれH、CH3 、OHより選ばれ、R1 〜R5 のうちのいずれか1個がOHである。)
IPC (8):
C07C 39/15
, C07B 57/00 343
, C07B 57/00 380
, C07C 37/86
, C07C315/06
, C07C317/14
, C07D317/72
, C07M 7:00
FI (7):
C07C 39/15
, C07B 57/00 343
, C07B 57/00 380
, C07C 37/86
, C07C315/06
, C07C317/14
, C07D317/72
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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異性体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-137141
Applicant:ダイセル化学工業株式会社
-
異性体の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-153353
Applicant:ダイセル化学工業株式会社
-
特開昭60-215662
-
特開平4-193842
-
光学異性体分離法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-060010
Applicant:ダイセル化学工業株式会社
-
特開昭60-215662
-
特開平4-193842
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