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J-GLOBAL ID：200903086026620160

欠陥検査方法および装置

Inventor： 前田 俊二 ,  岡 健次 ,  牧平 坦 ,  中山 保彦 ,  ▲吉▼田 実 ,  芝田 行広 ,  宍戸 千絵
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997296649
Publication number (International publication number)：1999132959
Application date： Oct. 29, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体ウエハの欠陥を検出する高感度な被検査パターンの欠陥検査方法を提供する。【解決手段】同一となるように形成されたチップ20を複数個配置した被検査パターンの欠陥検査方法で、被検査パターンの画像信号を検出し、これを基板上の隣接或いは離れた被検査パターンの検出画像信号と比較する際、当該検出画像信号のいずれか、或いは双方を2つの比較する画像信号の明るさを、ゲインとオフセットよりなる線形変換により局所領域内でほぼ同一となるように階調変換し、これを用いてパターンを検査する。

Claim (excerpt)：

同一となるように形成されたパターンが複数個配置された基板を撮像して該基板上に配置された第1のパターンの画像を検出し、該検出した第1のパターンの画像を記憶し、前記基板を撮像して前記第1のパターンと同一になるように形成された第2のパターンの画像を検出し、前記記憶した第1のパターンの画像と前記検出した第2の画像とのずれを画素単位で補正し、該ずれを画素単位で補正した前記記憶した第1のパターンの画像と前記検出した第2の画像とを用いて前記パターンの欠陥を検出する欠陥検査法方であって、前記パターンの欠陥を検出する前に、前記記憶した第1のパターンの画像と前記検出した第2のパターンの画像との少なくとも何れか一方の階調を変換することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (3)：

G01N 21/88 ,  G01B 11/30 ,  G06T 7/00

FI (3)：

G01N 21/88 E ,  G01B 11/30 E ,  G06F 15/70 330 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• パターン比較検査方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-326795   Applicant：株式会社日立製作所
• 繰返しパターンの欠陥検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-325193   Applicant：株式会社日立製作所