被処理基板の高温高圧処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安田敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998139841
Publication number (International publication number)：1999340230
Application date： May. 21, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】配線膜の加圧埋込処理を不活性ガスを利用して行うときの、パーティクルの発生および酸化等の発生等を防止する。【解決手段】被処理基板1をストックしておくストック手段2と、該ストック手段2の被処理基板1を圧力容器3の処理室4に出入させる搬送手段5とを、圧力容器3とともに気密性の筐体6の中に収納している。

Claim (excerpt)：

被処理基板を圧力容器内部の処理室に装入して高温高圧のガス雰囲気下で加圧処理する被処理基板の高温高圧処理装置において、被処理基板をストックしておくストック手段と、該ストック手段の被処理基板を圧力容器の処理室に出入させる搬送手段とを、圧力容器とともに気密性の筐体の中に収納していることを特徴とする被処理基板の高温高圧処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 , B01J 3/02 , C23C 14/58 , H01L 21/68

FI (4)：

H01L 21/88 K , B01J 3/02 C , C23C 14/58 A , H01L 21/68 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

金属配線の形成方法および金属配線形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-242302 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-136253 Applicant：株式会社日立製作所
銅系配線膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-091651 Applicant：株式会社神戸製鋼所, 日本真空技術株式会社

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Cited by examiner (7)

半導体製造装置及び大気浸入防止方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-225980 Applicant：国際電気株式会社
金属配線の形成方法および金属配線形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-242302 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-136253 Applicant：株式会社日立製作所

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