銅系配線膜の形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：安田敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998091651
Publication number (International publication number)：1999288937
Application date： Apr. 03, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】低電気抵抗および対EM性の改善を図った銅配線膜を製造する。【解決手段】銅系の配線材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で高圧ガスでの処理時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する工程と、高圧ガス処理工程とを含む処理方法である。

Claim (excerpt)：

孔もしくは溝が形成された基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆した後、300°C以上融点以下の温度で、高圧のガス圧力を作用させて、該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させる方法において、銅系の配線材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で高圧ガスでの処理時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する工程と、高圧ガス処理工程とを含むことを特徴とする銅系配線膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , C23C 14/34 , C23C 14/58

FI (3)：

H01L 21/88 B , C23C 14/34 K , C23C 14/58 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-136253 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-268160 Applicant：三菱電機株式会社
電極配線の製造方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-232719 Applicant：株式会社日立製作所

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