インダクタ素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995240900
Publication number (International publication number)：1997063847
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】スパイラルインダクタ素子の抵抗成分を低減しスパイラルインダクタ素子の性能向上を図る。【解決手段】半導体基板1に溝部8を形成しその上に第1の絶縁層2を形成し、第1の絶縁層2が形成された溝部8に第1の導体層3を形成し、これをスパイラルインダクタ素子の中心部と外部回路とを電気的に接続する引き出し配線とする。第1の導体層3の上にはさらに第2の絶縁層4を形成し、その上に第2の導体層7をスパイラル状に形成する。第1の導体層3と第2の導体層7との電気的接続はスルーホール6によってなされる。低抵抗の金属によりスパイラルインダクタ素子の引き出し配線を厚く形成することにより、スパイラルインダクタ素子の抵抗成分を低減しインダクタ素子の性能を改善する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された溝部と、該溝部の表面に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層で表面が覆われた溝部に形成された第1の導体層と、前記第1の導体層上に形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に形成された第2の導体層と、前記第1の導体層と前記第2の導体層とを電気的に接続するスルーホールと、を有し、前記第2の導体層は所望のインダクタンス値を得るようにパターン形成されてインダクタ部を構成し、前記第1の導体層が前記インダクタ部と外部回路とを電気的に接続してなることを特徴とするインダクタ素子。

IPC (6)：

H01F 17/00 , H01F 41/04 , H01L 21/44 , H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5)：

H01F 17/00 B , H01F 41/04 C , H01L 21/44 , H01L 21/90 A , H01L 27/04 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

高周波半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-050353 Applicant：三菱電機株式会社
磁気誘導素子用コイル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-265221 Applicant：富士電機株式会社
特表昭64-500155

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