Pat

J-GLOBAL ID：200903086171076720

半導体デバイスアレイ及びその製造方法

Inventor： 栗山 朗 ,  宮田 浩克 ,  福谷 和彦 ,  大倉 央 ,  小川 美紀 ,  オットー・アルブレヒト
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 山下 穣平 ,  志村 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002363134
Publication number (International publication number)：2004193527
Application date： Dec. 13, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】微細な半導体デバイスを高密度に並べたアレイを簡便な方法で作製する。【解決手段】シリコン又はゲルマニウムを含み構成されるマトリクス部材2中にアルミニウムを含み構成される柱状物質が分散している構造体から柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体と、孔内に形成された、少なくとも1つのp-n結合もしくはp-i-n結合を有する半導体領域1と、半導体領域1の上下に設置された一対の電極4、5とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する。その後、多孔体を除去してもよい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に材料を導入しp-nあるいはp-i-n接合を形成する工程を有することを特徴とする半導体デバイスアレイの製造方法。

IPC (7)：

H01L33/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/306 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L31/10

FI (7)：

H01L33/00 A ,  B82B1/00 ,  H01L21/203 S ,  H01L29/06 601N ,  H01L31/10 A ,  H01L21/306 F ,  H01L29/91 A

F-Term (32)：

5F041CA02 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CB23 ,  5F043AA24 ,  5F043BB16 ,  5F043FF10 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049PA04 ,  5F049PA07 ,  5F049PA20 ,  5F049QA04 ,  5F049QA09 ,  5F049QA15 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049SE04 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103LL05 ,  5F103PP15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 機能性ナノ構造体およびこれを用いた光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-155565   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 注入形発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-190388   Applicant：日本電装株式会社
• 発光ダイオードの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-050052   Applicant：日新製鋼株式会社
• 特開平4-212489