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J-GLOBAL ID：200903086171703929

気相成長によるリン珪酸ガラス膜の形成法

Inventor： 小野沢 和久 ,  芳仲 篤也 ,  渡辺 剛 ,  高畑 忠雄
Applicant, Patent owner： 旭電化工業株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994274008
Publication number (International publication number)：1996133754
Application date： Nov. 08, 1994
Publication date： May. 28, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、高濃度のPをドープでき、ステップカバレッジ特性の良好なリン珪酸ガラス膜の形成法を提供することにある。【構成】 本発明に係る気相成長によるリン珪酸ガラス膜の形成法は、原料として1分子中にSi-O-P結合を有する化合物及びオゾンを原使用することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

気相成長法によるリン珪酸ガラス膜の形成法において、原料として1分子中にSi-O-P結合を有する化合物及びオゾンを原使用することを特徴とする気相成長によるリン珪酸ガラス膜の形成法。

IPC (3)：

C03B 8/04 ,  C03C 3/097 ,  C23C 16/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-279963   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-320338
  
• 特開昭58-020711