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J-GLOBAL ID：200903086183258149
エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994087662
Publication number (International publication number)：1995272857
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】エレクトロルミネッセンス素子で反射を低減すること。【構成】エレクトロルミネッセンス(EL)素子内の光の出射方向に存在する各界面での屈折率の差を従来より小さくし、しかも光の出射方向に向かって屈折率が段階的に単調にで減少するように各層を構成している。この構成では光の出射方向に向かって屈折率が従来より滑らかに変化するため、各界面での光の反射の総量が低減され、EL素子の輝度を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
支持基板上に第一電極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層して、少なくとも発光層、第二絶縁層及び第二電極が光学的に透明なものにて構成されたエレクトロルミネッセンス素子において、前記第二電極上に必要に応じて形成された各層の屈折率が、表面に向かう順に小さくなり、前記第二電極の直上層の屈折率が前記第二電極の屈折率よりも小さく、最上層の屈折率が1より大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (4)：
H05B 33/22
, G09F 9/30 365
, H05B 33/10
, G01D 11/28
Cited by examiner (9)
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