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J-GLOBAL ID：200903086248803654

電界放出チップ

Inventor： ジスーン・イーム
Applicant, Patent owner： ジスーン・イーム
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000027501
Publication number (International publication number)：2000235830
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低い印加電圧でも電子の放出が容易であって、低電圧、高電流の隔週表示素子を製造し得る電界放出チップを提供することである。【解決手段】 炭素ナノチューブの先端部を斜めな方向に切断したものである。

Claim (excerpt)：

各種素子の電界放出チップにおいて、炭素ナノチューブの先端部を垂直軸に対して斜めに切断したことを特徴とする電界放出チップ。

IPC (3)：

H01J 1/304 ,  B82B 1/00 ,  C01B 31/02 101

FI (3)：

H01J 1/30 F ,  B82B 1/00 ,  C01B 31/02 101 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 両端の鋭角な炭素質繊維及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-378634   Applicant：昭和電工株式会社
• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-249096   Applicant：株式会社東芝