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J-GLOBAL ID：200903086249750759

量子ドット構造体及びそれを有する半導体デバイス装置

Inventor： 長尾 哲 ,  天内 英隆
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000273465
Publication number (International publication number)：2002084042
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 量子ドットとマトリクス間のV族原子の置換及びIII族原子のミキシングを制御した量子ドット構造体を提供すること。【解決手段】 III-V族元素からなる第一の化合物半導体層18中に、III-V族元素からなる第二の化合物半導体を量子ドット16として有する量子ドット構造体であって、第一の化合物半導体層と第二の化合物半導体の間に、第二の化合物半導体と同一のV族元素を含有し、かつ第二の化合物半導体と比較して同等ないしは大きい禁制帯幅を有する第三の化合物半導体層17を設けたことを特徴とする量子ドット構造体。

Claim (excerpt)：

III-V族元素からなる第一の化合物半導体層中に、III-V族元素からなる第二の化合物半導体を量子ドットとして有する量子ドット構造体であって、第一の化合物半導体層と第二の化合物半導体の間に、第二の化合物半導体と同一のV族元素を含有し、かつ第二の化合物半導体と比較して同等ないしは大きい禁制帯幅を有する第三の化合物半導体層を設けたことを特徴とする量子ドット構造体。

IPC (3)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

F-Term (26)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045CA09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F045DA63 ,  5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA03 ,  5F073EA23 ,  5F103AA04 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103DD08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-175674   Applicant：富士通株式会社