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J-GLOBAL ID：200903015382914808

半導体レーザ

Inventor： 菅原 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998175674
Publication number (International publication number)：2000012961
Application date： Jun. 23, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザに関し、量子ドット内における高速のキャリア緩和を可能にし、動作特性を向上する。【解決手段】 半導体レーザの活性層4を構成する量子ドット1の伝導帯側または価電子帯側の離散化したエネルギー準位の内の少なくとも一方を1つだけにする。

Claim (excerpt)：

量子ドットを活性層とする半導体レーザにおいて、前記量子ドットの伝導帯側または価電子帯側の離散化したエネルギー準位の少なくとも一方が1つだけであることを特徴とする半導体レーザ。

F-Term (5)：

5F073AA51 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-333873   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体量子ドット素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-077772   Applicant：日本電気株式会社