III族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005288548
Publication number (International publication number)：2006108676
Application date： Sep. 30, 2005
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：

【課題】高い降伏電圧を有する高い導電性の電力半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の電力半導体装置は、第1のIII族窒化物ヘテロ接合と、該第1のIII族窒化物ヘテロ接合上に配置された第2のIII族窒化物ヘテロ接合と、該第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続された第1電極と、前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続され、前記第1電極から離隔された第2電極と、を有する。前記第1電極は、前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合とショットキーコンタクトを形成し、前記第2電極は、前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合とオーミックコンタクトを形成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

第1のIII族窒化物ヘテロ接合と、該第1のIII族窒化物ヘテロ接合上に配置された第2のIII族窒化物ヘテロ接合と、該第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続された第1電極と、前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続され、前記第1電極から離隔された第2電極と、を有する電力半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 , H01L 29/861

FI (2)：

H01L21/28 301B , H01L29/91 F

F-Term (16)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104GG18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013740 Applicant：古河電気工業株式会社
化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-326805 Applicant：信越半導体株式会社
半導体素子の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-181229 Applicant：学校法人名城大学, 日本学術振興会

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Cited by examiner (6)

GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013740 Applicant：古河電気工業株式会社
化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-326805 Applicant：信越半導体株式会社
半導体素子の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-181229 Applicant：学校法人名城大学, 日本学術振興会

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