半導体装置用絶縁基板及び半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996154016
Publication number (International publication number)：1998004156
Application date： Jun. 14, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】熱履歴等によるクラック発生を防止して高信頼性の半導体装置を実現する。【解決手段】両活性金属層2a,2bが長さd1,d2 だけオーバーハングする様に、両導電板3a,3bをAlNのセラミック基板1にロー付け固定する。両導電板3a,3bの端部に、その底面部5a,5bの幅W1,W2 及び厚みt1,t2 がW1,/t1 ≧3,W2 /t2 ≧3,t1 /T1 ≦1/2,t2 /T2 ≦1/2を満足するように、段差形状4a,4bを形成する。各部分1、2a,2b、3a,3bの各コーナの角付けを取り、両導電板3a,3bの厚みT1 ,T2 をT2 ≦T1 /2に設定する。第1導電板3aの上面3Tに半導体チップ搭載領域を形成するための樹脂層6を形成する。その後、絶縁基板10をベースに半田付けし、半導体チップ等を搭載・半田付けして半導体装置を完成させる。

Claim (excerpt)：

第1及び第2主面を有するセラミック基板と、前記第1主面上に形成された第1活性金属層と、その底面に於いて前記第1活性金属層と接合され且つ段差形状の端部を有する第1導電板と、前記第2主面上に形成された第2活性金属層と、その底面に於いて前記第2活性金属層と接合され且つ段差形状の端部を有すると共に、当該端部を含めて露出した各面は別に設けられる放熱板と半田層によって接合される、第2導電板とを備え、前記第1及び第2活性金属層は、共にそれぞれに対応する前記第1及び第2導電板の底面の周端よりも所定の長さだけ前記セラミック基板の長手方向に沿って延長されており、前記第1及び第2導電板のそれぞれの前記端部の段差形状の内で、対応する前記第1及び第2主面に平行な底面部分は、それぞれ、(当該底面部分の厚み)/(対応する前記第1及び第2導電板の厚み)で与えられる比が1/2以下、(当該底面部分の前記セラミック基板の長手方向に沿った長さ)/(当該底面部分の厚み)で与えられる比が3以上、となる寸法値を備えることを特徴とする、半導体装置用絶縁基板。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

セラミツクス回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-310979 Applicant：株式会社東芝
特開平4-077369
特開昭64-059986

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