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J-GLOBAL ID：200903086278757495

111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法

Inventor： 大見 忠弘 ,  須川 成利 ,  関根 克行 ,  斎藤 祐司
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999376170
Publication number (International publication number)：2001160555
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【目的】111面方位のシリコンをその表面に有するシリコンに形成されるトランジスタに適応される高品質なシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を提供する。【構成】111面方位のシリコンをその表面に有するシリコン基体、または少なくとも1層の金属層上方に絶縁膜を介して設けられた111面方位をその表面に主体に有するシリコン層にトランジスタを複数含む半導体装置において、前記シリコンの表面に形成された絶縁膜の少なくとも一部がKrを含有するシリコン酸化膜ないしはArまたはKrを含有するシリコン窒化膜であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

111面方位のシリコンをその表面に有するシリコン基体にトランジスタを複数含む半導体装置において、前記シリコンの表面に形成された絶縁膜の少なくとも一部がKrを含有するシリコン酸化膜ないしはArまたはKrを含有するシリコン窒化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (2)：

H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 A

F-Term (10)：

5F058BA11 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BF80

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-002408   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭59-013335