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J-GLOBAL ID：200903086293452277

単一電子素子

Inventor： 内田 建 ,  鳥海 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999132584
Publication number (International publication number)：2000323702
Application date： May. 13, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ドレイン-ソース間電圧に係らず、ゲート-ソース間電圧のみでON状態(電流最大値をとる状態)、OFF状態(電流最小値をとる状態)を制御できる単一電子トランジスタを提供することである。【解決手段】 支持基板に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成された伝導島と、前記伝導島上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成された第2電極と、前記伝導島とトンネル接合し、かつ、前記伝導島を挟むソース領域及びドレイン領域と、前記第1電極または第2電極の一方と前記ドレイン領域とを接続する導電体とを備えることを特徴とする単一電子素子。

Claim (excerpt)：

支持基板に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成された伝導島と、前記伝導島上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成された第2電極と、前記伝導島とトンネル接合し、かつ、前記伝導島を挟むソース領域及びドレイン領域と、前記第1電極または第2電極の一方と前記ドレイン領域とを接続する導電体とを備えることを特徴とする単一電子素子。

IPC (2)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/78 622

F-Term (15)：

5F110BB03 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD22 ,  5F110EE02 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG58 ,  5F110QQ05