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J-GLOBAL ID：200903086349981235

半導体装置

Inventor： 中村 泰之
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995235230
Publication number (International publication number)：1997082885
Application date： Sep. 13, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 チップ内部にシステムグランドを設けることができ、ピン数の削減とチップ性能の向上が実現できる半導体装置を得る。【解決手段】 信号線用パッド部1にコンデンサを形成させるように絶縁層を介して他の導電層を設け、この導電層とグランド用パッド4とを接続したレイアウトとした。

Claim (excerpt)：

信号線と、信号線電位に応じた電位を有する第1の電位部分と、基板電位に応じた電位を有する第2の電位部分とを基板と一体に備えたものにおいて、前記第1の電位部分と前記第2の電位部分とを絶縁層を介し互いに対向して配設し、前記第1の電位部分と前記第2の電位部分と前記絶縁層とによってコンデンサを形成するようにしたレイアウトを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-274794   Applicant：日本電気株式会社