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J-GLOBAL ID:200903086411302900

半導体素子とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷 義一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998016959
Publication number (International publication number):1999214434
Application date: Jan. 29, 1998
Publication date: Aug. 06, 1999
Summary:
【要約】【課題】 樹脂で完全に覆われ、かつ極めて小さな投影面積を可能とする新しい構造の半導体素子を提供する。【解決手段】 基板に形成され内部電極を備えた半導体装置を有する半導体素子である。内部電極上に導電性物体が形成されており、かつ半導体素子は導電性物体の少なくとも一部を除いて基板の側面を含めて樹脂により完全に覆われており、導電性物体の樹脂に覆われずに露出している部分が外部電極となっている。
Claim (excerpt):
基板に形成され内部電極を備えた半導体装置を有する半導体素子において、前記内部電極上に導電性物体が形成されており、かつ前記半導体素子は前記導電性物体の少なくとも一部を除いて基板の側面を含めて樹脂により完全に覆われており、前記導電性物体の前記樹脂に覆われずに露出している部分が外部電極となっていることを特徴とする半導体素子。
IPC (3):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (3):
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 F
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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