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J-GLOBAL ID:200903086449255604
高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999212134
Publication number (International publication number):2000106454
Application date: Jul. 27, 1999
Publication date: Apr. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】 アウトカップリング効率が改善されて、ある放射線出力パワーに対するパワー消費が低減され、また、デバイスの速度が増加し、よって、光チャンネルあたりのシリアル帯域幅が増加された放射線(好ましくは光)を所定の波長にて発するデバイスを提供する。【解決手段】 放射線を所定の波長にて発するデバイスが、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも1つのエッジを含む。
Claim (excerpt):
放射線を所定の波長にて発するデバイスであって、該デバイスは、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも1つのエッジを含む、デバイス。
IPC (2):
FI (2):
H01L 33/00 A
, H01S 3/18 644
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-064003
Applicant:ヒューレット・パッカード・カンパニー
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特開平4-042582
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特開平4-097575
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光伝送モジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-227164
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平4-063478
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-221772
Applicant:シャープ株式会社
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