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J-GLOBAL ID:200901020282986204   Update date: Sep. 19, 2024

Shimizu Hirofumi

シミズ ヒロフミ | Shimizu Hirofumi
Homepage URL  (1): http://www.ee.ce.nihon-u.ac.jp
Research field  (4): Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Crystal engineering ,  Applied materials
Research keywords  (11): 結晶工学 ,  誘電体薄膜 ,  表面光電圧 ,  機能性絶縁薄膜 ,  シリコン酸化膜 ,  半導体ナノテクノロジー ,  Crystal Technology ,  Surface Photovoltage ,  Insulator Thin Film ,  Si dioxide ,  Semiconductor Nanotechnology
Research theme for competitive and other funds  (12):
  • 2003 - 2010 半導体表面の解析、誘電体薄膜の伝導機構の解析及び結晶欠陥に関する研究
  • 2003 - 2010 Study on Semiconductor Surface, Electrical Conduction Mechanism of Oxide Films and Crystal Defects
  • 2002 - 2010 交流表面光電圧法によるシリコン表面における酸化膜電荷、ショットキー障壁に関する研究
  • 2002 - 2010 Study on Oxide charge and Schottky Barrier in Silicon with ac Surface Photovoltage
  • 2002 - 2008 ゾルーゲル法及び蒸着法によるHfO2, ZrO2膜の物性及び電気的特性に関する研究
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Papers (5):
MISC (206):
Patents (1):
  • シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法
Books (15):
  • よくわかる半導体LSIのできるまで(共著) -ウエーハ製造工程ー
    日刊工業新聞社 2006
  • 基礎からの半導体工学(共著)
    日新出版 2005
  • 最新シリコンデバイスと結晶技術、
    Realize (Science & Engineering) 2005
  • グローバルスタンダードへの挑戦ー300 mm半導体工場へ向けた標準化の歴史ー 3.5ウエーハ端面形状などについての検討と提案
    SEMIジャパン 2003
  • よくわかる システムLSIのできるまで(共著) -システムLSI対応ウエーハ製造工程ー
    日刊工業新聞社 2002
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Lectures and oral presentations  (189):
  • Transfer from Schottky-Barrier to Atomic-Bridging Type Surface Photovoltages in Cr-Contaminated n- and p-Type Si(001) Surfaces,
    (14th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA’11) 2011)
  • Metal-Induced Negative Charge Detected by Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Fe-contaminated n-Type Silicon Wafers, E-MRS 2011 Spring Meeting, May 9-13, Nice, France.
    (European Material Reseach Society (EMRS) 2011)
  • Photon-Assisted Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Metal-Contaminated n-Type Silicon Wafers, 7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-
    (7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-20 August 2010, Copenhagen and Sonderborg, Denmark, pp.39. 2010)
  • Photon-Assisted Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Metal-Contaminated n-Type Silicon Wafers, 7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-
    (7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-20 August 2010, Copenhagen and Sonderborg, Denmark, pp.39. 2010)
  • Analyses of Desorbed H2O with Temperature Programmed Desorption Technique in Sol-Gel Derived HfO2 Thin Films,
    (16th International Conference on Thermal Engineering and Thermogrammetry (THERMO) 2009)
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Works (30):
  • ニオブおよびタンタル誘電体皮膜の研究
    2005 - 2006
  • 高感度薄膜半導体評価技術に関する研究
    2006 -
  • 半導体及び結晶欠陥の評価技術に関する研究
    1999 - 2005
  • Research on semiconductor crystalline imperfections and characteristic technique
    1999 - 2005
  • 半導体材料(寄稿),JETI (Japan Energy and Technology Intelligence)、石油文化社、53 [1], 116-117 (2005).
    2005 -
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Education (6):
  • - 1972 東北大学大学院工学研究科金属材料工学専攻 大学院 工学研究科 金属材料工学専攻
  • - 1972 Graduate School of Tohoku University Graduate School, Division of Engineering
  • - 1969 東北大学大学院工学研究科金属材料工学専攻 大学院 材料科学研究科 金属材料工学専攻
  • - 1969 Graduate School of Tohoku University Graduate School, Division of Materials Science Material Science
  • - 1967 Nagoya Institute of Technology Faculty of Engineering
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Professional career (2):
  • Ph.D. (Tohoku University)
  • M.D. (Tohoku University)
Work history (3):
  • 1999 - -:日本大学・工学部・電気電子工学科・教授
  • 1999 - -:Electrical and Electronic Department, College of Engineering, Nihon University, Professor
  • Nihon University College of Engineering Department of Electrical and Electronic Engineering Professor
Awards (2):
  • 1999 - 第47回電気科学技術奨励賞(オーム技術賞)
  • 1988 - 日本金属学会金属組織写真奨励賞
Association Membership(s) (2):
応用物理学会(Japanese Journal Applied Physics) ,  Journal of Electrochemical Society
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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