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J-GLOBAL ID：200903086480281400

PZT膜のドライエッチング方法

Inventor： 加藤 匡也
Applicant, Patent owner： 株式会社プラズマシステム
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238538
Publication number (International publication number)：1995094471
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ある所定の条件下においてエッチング加工を可能とするPZT膜のドライエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングガスとしてCHF3、SF6、およびこれらの混合ガスを適用することによってPZT膜のドライエッチングが可能となる。さらに、処理圧力を15〜30mTorrの領域に保持すると、エッチングレートを約48nm/min程度の高いレベルで制御することができる。

Claim (excerpt)：

エッチングガスとしてCHF3 、SF6 、またはこれらの混合ガスを用いることを特徴とするPZT膜のドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205974   Applicant：株式会社日立製作所