太陽電池素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998214659
Publication number (International publication number)：2000049368
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成する際に、半導体接合部が破壊されて出力特性が低下するという問題があった。【解決手段】一導電型を呈する半導体基板1の一主面側に他の導電型を呈する領域1aを形成すると共に、反射防止膜2を形成し、この半導体基板1の他の主面側と上記反射防止膜に電極材料4、5を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法であって、上記反射防止膜2と電極材料5との間にシリサイド化しうる金属材料3を介在させて上記電極材料5を焼き付けるようにした。

Claim (excerpt)：

一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間にシリサイド化しうる金属材料を介在させて前記電極材料を焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

F-Term (12)：

5F051BA11 , 5F051BA17 , 5F051CB22 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051FA01 , 5F051FA17 , 5F051FA21 , 5F051FA30 , 5F051GA04 , 5F051GA14 , 5F051HA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320590 Applicant：シャープ株式会社
光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-175019 Applicant：シヤープ株式会社
特開昭62-049676

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Cited by examiner (1)

太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320590 Applicant：シャープ株式会社

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