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J-GLOBAL ID：200903086512132313

半導体記憶装置

Inventor： 小室 敏雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991244853
Publication number (International publication number)：1993062481
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 消費電流を殆ど増加させないで、センスアンプ等の動作高速化を達成する。あるいは同一動作速度でよいときには、消費電流を削減する。【構成】 トランジスタQp11、Qp12、Qn11、Qn12からなるカレントミラーアンプと直列に2本のトランジスタQn13、Qn14からなる電流リミッタ回路を接続する。そして、トランジスタQn13を待機時以外の時に導通させ、Qn14をセンスアンプの動作開始時のみ導通させる。

Claim (excerpt)：

カレントミラーアンプとこれと直列に接続された電流リミッタとを有する内部電源降圧回路を備えた半導体記憶装置において、前記電流リミッタは、異なるレベルの電流を供給できるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の内部降圧回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-177030   Applicant：シヤープ株式会社
• 特開平2-059806
  
• 特開平2-195596