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J-GLOBAL ID：200903086547243452

パターン形成方法

Inventor：
遠藤 政孝

About 遠藤 政孝


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998043107
Publication number (International publication number)：1999242345
Application date： Feb. 25, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】 化学増幅型のネガレジストからなるレジスト膜に極紫外線をパターン露光してポジ型のレジストパターンを形成する方法において、得られるレジストパターンの寸法精度を向上させる。【解決手段】 ポリマーと、極紫外線が照射されると酸を発生する酸発生剤と、酸の存在下でポリマーを架橋させる架橋剤とを有する化学増幅型ネガレジストを半導体基板11上に塗布してレジスト膜12を形成する。次に、レジスト膜12に極紫外線13をパターン露光して、レジスト膜12の露光部12aにおいて、酸を発生させると共に発生した酸の働きによりポリマーを架橋させる。次に、レジスト膜12の表面にシリル化剤15を供給して、レジスト膜12の未露光部12bの表面にシリル化層16を形成する。レジスト膜12に対してシリル化層16をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジスト膜12の未露光部12bからなるレジストパターン18を形成する。
Claim (excerpt)：
ポリマーと、極紫外線が照射されると酸を発生する酸発生剤と、酸の存在下で前記ポリマーを架橋させる架橋剤とを有する化学増幅型ネガレジストを基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に極紫外線をパターン露光することにより、前記レジスト膜の露光部において、酸を発生させると共に発生した酸の働きにより前記ポリマーを架橋させる工程と、前記レジスト膜の表面にシリル化剤を供給して、前記レジスト膜の未露光部の表面にシリル化層を形成する工程と、前記レジスト膜に対して前記シリル化層をマスクとしてドライエッチングを行なって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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