半導体素子の駆動回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996176475
Publication number (International publication number)：1998023743
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】電圧サージの抑制とスイッチング損失の低減とを両立することが可能で、かつ、全てのIGBT素子に適用可能な半導体素子の駆動回路を得る。【解決手段】 IGBT素子1を駆動する第1の駆動手段12と、第1の駆動手段12よりも低速でIGBT素子1を駆動する第2の駆動手段13と、第1の駆動手段12の出力と第2の駆動手段13の出力とを切り換えてIGBT素子1のゲートに供給する切り換え手段11と、IGBT素子1のターンオフ時にコレクタ電流の変化が緩慢な第1の期間からそれに続くコレクタ電流の変化が急俊な第2の期間に遷移する時の電流の減少開始点を検出する電流減少開始点検出手段14とから構成されており、電流減少開始点検出手段14の出力により、第1の期間において第1の駆動手段12を用い、第2の期間において第2の駆動手段13を用いるように切り換え手段11を動作させる。

Claim (excerpt)：

制御電極に印加する電圧によって主電極間の導通状態を制御する絶縁ゲート形自己消孤素子の制御電極に接続される駆動回路において、前記絶縁ゲート形自己消孤素子を駆動する第1の駆動手段と、前記第1の駆動手段よりも低速で前記絶縁ゲート形自己消孤素子を駆動する第2の駆動手段と、前記第1の駆動手段と前記第2の駆動手段に信号を供給するスイッチング信号発生手段と、前記第1の駆動手段の出力と前記第2の駆動手段の出力とを切り換えて前記制御電極に供給する切り換え手段と、前記制御電極の電圧を低下させ前記主電極間を導通状態から非導通状態に遷移させる際に前記主電極に流れる電流の変化が緩慢な第1の期間からそれに続く電流の変化が急俊な第2の期間に遷移する時の電流の減少開始点を検出する電流減少開始点検出手段とを有し、前記電流減少開始点検出手段の出力により、前記第1の期間において前記第1の駆動手段を用い、前記第2の期間において前記第2の駆動手段を用いるように前記切り換え手段を動作させることを特徴とする半導体素子の駆動回路。

IPC (4)：

H02M 1/08 , H02M 1/08 351 , H02J 1/00 304 , H02M 7/537

FI (4)：

H02M 1/08 A , H02M 1/08 351 Z , H02J 1/00 304 E , H02M 7/537 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

電圧駆動形素子の駆動方法及びその回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-073081 Applicant：株式会社日立製作所

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