半導体基板、半導体素子及びそれらの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998075295
Publication number (International publication number)：1998341036
Application date： Mar. 24, 1998
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板の上に形成されている化合物半導体結晶層に発生する貫通転位を大きく低減する。【解決手段】サファイア基板10と、該サファイア基板10の上に形成されたアンドープGaNよりなるバッファ層11及びn型GaNよりなる化合物半導体結晶層12とによって発光ダイオードの基板Aが構成されている。化合物半導体結晶層12の上に順次形成された、n型GaNよりなる第1のクラッド層13、アンドープIn0.2Ga0.8Nよりなる活性層14及びp型GaNよりなる第2のクラッド層15によって発光ダイオードの素子構造Bが構成されている。第2のクラッド層15の上にはp型電極16が形成されており、第1のクラッド層13の上にはn型電極17が形成されている。サファイア基板10におけるp型電極16と対向する領域には、台形状の断面を有する凹状部18が形成されており、サファイア基板10における凹状部18の上側部分10aの厚さは第1のクラッド層13の厚さと同程度以下である。

Claim (excerpt)：

ウエハ状の板状結晶と、前記板状結晶の上側に形成され、前記板状結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ化合物半導体結晶層とを備えた半導体基板であって、前記板状結晶の下面に、前記板状結晶における各素子形成領域の厚さが全面に亘って前記化合物半導体結晶層の厚さと同程度以下になるように形成された凹部を備えていることを特徴とする半導体基板。

IPC (5)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20 , H01S 3/18 , H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平2-181914
III族窒化物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-354572 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-337797 Applicant：住友電気工業株式会社

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