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J-GLOBAL ID：200903086613893080

高密度光記録方法

Inventor：
谷口 義輝

About 谷口 義輝

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梅原 英樹

About 梅原 英樹

, 
広瀬 純夫

About 広瀬 純夫


Applicant, Patent owner：
三井化学株式会社

About 三井化学株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997018756
Publication number (International publication number)：1998214423
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：
【要約】【解決手段】 グルーブを有する透明な基板上に、直接又は他の層を介して、レーザー光を吸収する色素を含有する記録層と、該記録層の上に直接又は他の層を介して金属の反射層を有する光記録媒体に、最短ピット長をPmin 、λ/NA[λは記録波長[μm]、NAはピックアップの対物レンズ開口数を示す]をrとしたとき、Pmin が0.33r≦Pmin ≦0.45rで示される範囲に入るようなマークエッジ記録を行うとき、最短記録ピットの記録パワーをPs 、他の記録ピットの記録パワーをPo としたとき、1.1≦Ps /Po ≦2.0を満たすことを特徴とする高密度光記録方法。【効果】 レーザースポット径に対して小さなピットを形成させる高密度記録が良好に行える。
Claim (excerpt)：
グルーブを有する透明な基板上に、直接又は他の層を介して、レーザー光を吸収する色素を含有する記録層と、該記録層の上に直接又は他の層を介して金属の反射層を有する光記録媒体に、最短ピット長をPmin 、λ/NA[λは記録波長[μm]、NAはピックアップの対物レンズ開口数を示す]をrとしたとき、Pmin が下記式で示される範囲に入るようなマークエッジ記録を行うとき、0.33r≦Pmin ≦0.45r最短記録ピットの記録パワーをPs 、他の記録ピットの記録パワーをPo としたとき、Ps /Po が下記式を満足することを特徴とする高密度光記録方法。1.1≦Ps /Po ≦2.0
IPC (4)：
G11B 7/00 ,  B41M 5/26 ,  C09B 45/12 ,  G11B 7/24 516
FI (4)：
G11B 7/00 L ,  C09B 45/12 ,  G11B 7/24 516 ,  B41M 5/26 Y
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
  • 光ディスク記録装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-034180   Applicant：ヤマハ株式会社
  • 特開平1-229426
  • カツテイング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-323954   Applicant：ソニー株式会社
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