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J-GLOBAL ID:200903086631217084

薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997303785
Publication number (International publication number):1998269521
Application date: Oct. 17, 1997
Publication date: Oct. 09, 1998
Summary:
【要約】【課題】 薄膜磁気ヘッドの磁極をフレームめっき法により形成する際に、幅が狭く相対的に深くかつ寸法精度の良好なスペースを有するめっきフレームを形成可能とする。【解決手段】 幅2μm 以下かつ深さ4μm 以上の断面をもつスペースを有するめっきフレームの形成に、下記式(1)で表される1または2以上の繰り返し単位を有しポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜6000であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素1原子当たり0.12〜0.22モルの1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可溶性樹脂および感光剤として含有するレジスト組成物を用いる。【化3】[式(1)中、nは1〜4の整数、mは0〜3の整数である。]
Claim (excerpt):
薄膜磁気ヘッドの磁極をフレームめっき法により形成する方法であって、幅2μm 以下かつ深さ4μm 以上の断面をもつスペースを有するめっきフレームの形成に、下記式(1)で表される1または2以上の繰り返し単位を有しポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜6000であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素1原子当たり0.12〜0.22モルの1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可溶性樹脂および感光剤として含有するレジスト組成物を用いる薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法。【化1】[式(1)中、nは1〜4の整数、mは0〜3の整数である。]
IPC (3):
G11B 5/31 ,  G03F 7/023 511 ,  C08G 8/28
FI (3):
G11B 5/31 C ,  G03F 7/023 511 ,  C08G 8/28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-051465   Applicant:信越化学工業株式会社

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