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J-GLOBAL ID：200903086655540250

側面シールドを用いた高面積密度のリーダ用の新しいMR構造体

Inventor： フェルナンデス - デ - カストロ、フアン、ホセ ,  チェン、リュジュン ,  ジュスティ、ジェイムズ ,  チェン、ジャン ,  マオ、シニン
Applicant, Patent owner： シーゲイト テクノロジー エルエルシー
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  森 徹 ,  吉田 裕
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002527503
Publication number (International publication number)：2004509428
Application date： Aug. 21, 2001
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

情報が記憶された多数の同心マイクロトラックを有する磁気記憶媒体を含む磁気記憶システムに使用するための磁気抵抗(MR)センサ。MRセンサは、MRスタックを形成する複数の略平行の層を含む。MRセンサはまた、長手方向のMRスタックの反対側の離間した頂部シールドと底部シールドとを含む。MRセンサは、横断方向のMRスタックの反対側の離間した第1および第2の側面シールドをさらに含む。頂部シールド、底部シールド、第1の側面シールドおよび第2の側面シールドはMRスタックを実質的に囲む。

Claim (excerpt)：

情報が記憶された多数の同心マイクロトラックを有する磁気記憶媒体を含む磁気記憶システムに使用するための磁気リーダであって、 MR要素と底部シールドと頂部シールドとを含む、前記磁気記憶媒体に記憶された情報を読み取るための磁気抵抗(MR)センサと、 所定の時間に読み取られるマイクロトラックへの、サイドトラックに帰因するMRセンサ内の信号を低減するための手段と、を備える磁気リーダ。

IPC (2)：

G11B5/39 ,  G11B33/14

FI (2)：

G11B5/39 ,  G11B33/14 E

F-Term (5)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA06 ,  5D034BB08 ,  5D034CA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 薄膜磁気ヘッド及び磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-145599   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-273815   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-001503   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特許第2982931号
  
• 磁気抵抗効果型ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-077007   Applicant：シチズン時計株式会社