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J-GLOBAL ID：200903086663085872

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材

Inventor： 江 上 美 紀 ,  中 島 昭 ,  小 松 通 郎
Applicant, Patent owner： 触媒化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996299684
Publication number (International publication number)：1997315812
Application date： Oct. 24, 1996
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 比誘電率が3以下と小さく、被塗布面との密着性、機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性に優れ、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成でき、被塗布面の凹凸を高度に平坦化し得るような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。【解決手段】 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液は、シリカ系微粒子、および下記一般式で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式で示されるハロゲン化シランまたはこれらの加水分解物、との反応物を含有する。XnSi(OR)4-n またはXnSiX'4-n (Xは、H、Fまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、Rは、Hまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、X'はハロゲン原子をあらわす。また、nは0〜3の整数である。)

Claim (excerpt)：

シリカ微粒子、および下記一般式[I]で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式[II]で示されるハロゲン化シランまたはこれらの加水分解物、との反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。XnSi(OR)4-n [I]XnSiX'4-n [II](Xは、H、Fまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、Rは、Hまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、X'はハロゲン原子をあらわす。また、nは0〜3の整数である。)

IPC (3)：

C01B 33/12 ,  C09D 5/25 PQX ,  H05K 3/28

FI (3)：

C01B 33/12 C ,  C09D 5/25 PQX ,  H05K 3/28 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211699   Applicant：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
• 特開平3-263476
  

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211699   Applicant：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
• 特開平3-263476
  
• 特開平3-263476