Pat
J-GLOBAL ID：200903086674776346

光電子混在基板

Inventor：
金子 勝弘

About 金子 勝弘

, 
棚橋 成夫

About 棚橋 成夫


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996042519
Publication number (International publication number)：1997236731
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】 光電子混在基板における光導波路として、屈折率を容易にかつきめ細かく制御でき、基板の表面粗さの影響も低減できる好適な光導波路を得ることが困難であった。【解決手段】 セラミック基板11上に光電集積回路15・光集積回路・光導波路・集積回路16・高周波電気回路等を具備して成る光電子混在基板10において、金属アルコキシドを添加したシロキサン系ポリマ膜形成用溶液を基板上で熱重合させた金属含有シロキサン系ポリマ膜から成る光導波路14を形成する。これにより、屈折率を容易にかつきめ細かく制御でき、膜の平坦性・基板との密着性・半田耐熱性に優れた光導波路14が得られ、高密度集積化が可能な高性能の光電子混在基板10を提供できる。
Claim (excerpt)：
セラミック基板上に光導波路と、光電素子と電子回路とを組み合わせて成る光電集積回路もしくは光集積回路と、集積回路または高周波電気回路とを具備して成る光電子混在基板であって、前記光導波路が金属アルコキシドを添加したシロキサン系ポリマ膜形成用溶液を前記基板上で熱重合させた金属含有シロキサン系ポリマ膜から成ることを特徴とする光電子混在基板。
IPC (5)：
G02B 6/42 ,  C08K 5/057 ,  C08L 83/04 LRT ,  C09D183/04 PMT ,  G02B 1/04
FI (5)：
G02B 6/42 ,  C08K 5/057 ,  C08L 83/04 LRT ,  C09D183/04 PMT ,  G02B 1/04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM