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J-GLOBAL ID：200903086693055978

半導体発光素子

Inventor： 吉田谷 弘明
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993350703
Publication number (International publication number)：1995202342
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、単一の素子で、ほぼ同一の領域から外部に出射されるレーザ光の偏光を制御可能にした半導体発光素子に関する。【構成】単一の半導体基板1と、クラッド層2と、量子井戸層3と、量子井戸層に電流を注入する電流注入手段4とを有する半導体発光素子において、量子井戸層がTEモードを発光する第1の量子井戸層5と、TMモードを発光する第2の量子井戸層6とを含み、電流注入手段が注入した電流によってそれぞれ制御されたTEモードの光とTMモードの光とがほぼ同一の領域から外部に出射されるようになっている。

Claim (excerpt)：

単一の半導体基板(1)と、クラッド層(2)と、量子井戸層(3)と、該量子井戸層に電流を注入する電流注入手段(4)とを有する半導体発光素子において、前記量子井戸層がTEモードを発光する第1の量子井戸層(5)と、TMモードを発光する第2の量子井戸層(6)とを含み、前記電流注入手段が注入した電流によってそれぞれ制御されたTEモードの光とTMモードの光とがほぼ同一の領域から外部に出射されるようになっていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザおよびその使用法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-269714   Applicant：キヤノン株式会社
• 特表平6-505363