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J-GLOBAL ID：200903086791034695

シリコン単結晶の製造方法

Inventor： 梶田 栄治 ,  宝来 正隆
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148939
Publication number (International publication number)：1996012493
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】ウェーハ面内の酸素析出物の密度の低減を図り、酸化膜耐圧特性等の結晶品質に優れたシリコン単結晶の製造方法を提供する。【構成】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法において、結晶成長速度をfp(mm/min)とし、シリコンの融点から1300°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG(°C/mm )としたとき、fp/Gで表される係数を0.25mm2/°C・min 以上にして、かつ1150°Cから1000°Cまでの温度範囲における冷却速度を 2.0°C/min以下として結晶成長を行わせることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法において、結晶成長速度をfp(mm/min)とし、シリコンの融点から1300°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG(°C/mm )としたとき、fp/Gで表される係数を0.25mm2/°C・min 以上にして、かつ1150°Cから1000°Cまでの温度範囲における冷却速度を 2.0°C/min以下として結晶成長を行わせることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコン単結晶の製造方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-081837   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-017674   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社