シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ並びにSOIウエーハ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001261382
Publication number (International publication number)：2003068744
Application date： Aug. 30, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】酸素ドナーの発生による抵抗率の低下を防ぎ、かつ高いゲッタリング効果を有する高抵抗率CZシリコンウエーハを製造する方法、およびその方法により製造された高抵抗率CZシリコンウエーハならびに、この高抵抗率CZウエーハをベースウエーハとして用いて得られるSOIウエーハを提供する。【解決手段】シリコンウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法により、抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が5〜10ppmaのシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに急速加熱・急速冷却熱処理を行なうことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

シリコンウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法により、抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が5〜10ppmaのシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに急速加熱・急速冷却熱処理を行なうことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/322 , H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/322 Y , H01L 21/02 B , H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法並びにSOIウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-322487 Applicant：信越半導体株式会社

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