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J-GLOBAL ID：200903068795185720

シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法並びにSOIウエーハ

Inventor：
飯田 誠

About 飯田 誠

, 
木村 雅規

About 木村 雅規


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322487
Publication number (International publication number)：2001146498
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】 窒素をドープしたOSF領域を含むN-領域で引上げた結晶を無欠陥ウエーハとして使用するにはOSF領域を不活性化することが必要で、そのための結晶引上げ条件を探索し、制御幅が広く、制御し易い安定した製造条件の下で、ボイド型欠陥や転位クラスターを排除した全面N-領域からなるCZ法による無欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 CZ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面N-領域からなり、かつ格子間酸素濃度が8ppma以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が8ppma以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面N-領域からなり、かつ格子間酸素濃度が8ppma以下であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
IPC (3)：
C30B 29/06 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12
FI (3)：
C30B 29/06 A ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 27/12 B
F-Term (8)：
4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF06 ,  4G077CF10 ,  4G077FE11 ,  4G077FG11 ,  4G077PA06 ,  4G077PB05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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