OLEDディスプレイの画素素子構造とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹本松司 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000418
Publication number (International publication number)：2002216960
Application date： Jan. 05, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 OLEDディスプレイの画素素子構造とその製造方法の提供。【解決手段】表示素子の画素構造は、二つのTFT、一つのコンデンサ、一つのカラーフィルタ、一つの基板に連結された一つのOLED素子構造、及び、TFTの下にあって且つカラーフィルタの外部にある一つのブラックマトリクス領域と、を具えている。この表示素子の構造がOEL表示素子とカラーフィルタを一つのTFTアレイに整合させ、これにより製造工程を簡素化し、並びに漏光を減少し、及びディスプレイのコントラストを向上する。この表示素子の構造は白光の光励起発光素子を主要な構成手段とし、カラーフィルタを透過して、赤、緑、青の三種類の光色を得て、フルカラーのOLEDディスプレイを形成する。ポリシリコンTFTにより電流をこの表示素子に提供し、並びに一つのアクティブマトリクス素子となす。この表示素子は製造工程が簡単であるだけでなく、高解析度、高発光効率及び広視角の長所を有している。

Claim (excerpt)：

OLEDディスプレイの画素素子構造において、基板とされ、上部と底部の表面を具えた上記基板と、第1TFTとされ、ソースとドレイン及びゲートを具え、該第1TFTのソースが一つのデータ線に電性連結され、該ゲートが一つのゲート線の一部分を含む、上記第1TFTと、第2TFTとされ、ソースとドレイン及びゲートを具え、該第2TFTのゲートが該第1TFTのドレインと電性連結された、上記第2TFTと、コンデンサとされ、該第1TFTと直列に連結され、並びに第2TFTのゲートと電性連結された、上記コンデンサと、カラーフィルタとされ、表示素子の画素領域内に形成された、上記カラーフィルタと、ブラックマトリクス領域とされ、第2TFTの下に形成され、並びにカラーフィルタの外部にあって、漏光を減少し、該ディスプレイの明暗度のコントラストを向上する、上記ブラックマトリクス領域と、OLED素子構造とされ、アノード層とカソード層を含み、並びに該基板の上部表面に連結され、該OLED素子構造のアノードと該第2TFTのドレインが連結され、並びに第2TFTと直列に連結され、該カラーフィルタの濾過を透過して、赤、緑、青の三種類の光色を獲得してフルカラーのLEDを形成する、上記OLED素子構造と、を含み、そのうち、該ブラックマトリクス領域が基板の上部表面を被覆し、該第1TFTと第2TFT、該コンデンサ、及び該カラーフィルタがいずれも該ブラックマトリクス領域の上方にあって該OLED素子構造の下方に形成されたことを特徴とする、OLEDディスプレイの画素素子構造。

IPC (7)：

H05B 33/12 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (7)：

H05B 33/12 B , H05B 33/12 E , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 612 Z

F-Term (28)：

3K007AB04 , 3K007BA06 , 3K007CA03 , 3K007CB01 , 3K007DA02 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5C094AA10 , 5C094AA12 , 5C094AA22 , 5C094BA03 , 5C094BA26 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094ED02 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD12 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ13 , 5F110NN42 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-023509 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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