不揮発性半導体メモリおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333134
Publication number (International publication number)：1995193198
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】工程数を削減し、高精度のマスク合わせが必要なパターニングを減らすことのできる不揮発性半導体メモリおよびその製造方法を提供する。【構成】メモリセル領域および周辺回路領域に延在する導電層を共通のマスクを用いてパターニングすることによって、メモリトランジスタのコントロールゲートおよび周辺回路トランジスタのゲート電極を同時に形成する。これにより、工程数を削減し、高精度のマスク合わせの回数を削減することができる。

Claim (excerpt)：

主表面上にメモリセル領域と周辺回路領域とを有する半導体基板と、前記メモリセル領域の半導体基板の主表面上に第1の絶縁膜を介してm行n列のマトリクス状に配置されたm×n個のフローティングゲートと、前記半導体基板の主表面上に、前記フローティングゲートを間に挟んで列方向に間隔をあけて形成されたソース/ドレイン領域となるべき1対の不純物領域と、行方向に延び、前記フローティングゲート電極上に第2の絶縁膜を介して各行に形成されたm本のコントロールゲートと、前記周辺回路領域の半導体基板の主表面上に形成されたゲート電極を有するトランジスタと、を備え、前記コントロールゲートと前記ゲート電極とは、共通のマスクを用いて同時にパターニング加工されている、不揮発性半導体メモリ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-085870
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-161083 Applicant：ローム株式会社
特開平3-106076

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