強誘電体メモリ装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998255527
Publication number (International publication number)：1999204746
Application date： Sep. 09, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】強誘電体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体膜の上下部に各々シード膜を具備する。上下部シード膜は、強誘電体膜の上下界面特性を同一にするために形成する。これにより強誘電体膜の上下界面特性が同一になるため、奥付けのような現状の発生が効果的に防止できる。

Claim (excerpt)：

下部電極と、前記下部電極上に形成された下部シード膜と、前記下部シード膜上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部シード膜と、前記上部シード膜上に形成された上部電極よりなる強誘電体キャパシタとを具備することを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

誘電体薄膜素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-108628 Applicant：シャープ株式会社
誘電体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174116 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-162534 Applicant：ローム株式会社

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