Pat

J-GLOBAL ID：200903086931300536

回路内蔵受光素子

Inventor： 山本 元彦 ,  久保 勝 ,  福永 直樹
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994198141
Publication number (International publication number)：1996064794
Application date： Aug. 23, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 回路内蔵受光素子のフォトダイオードの内部直列抵抗および光キャリアの拡散電流成分を低減して、フォトダイオードの応答速度を向上させ、かつ光感度を低下させないようにする。【構成】 フォトダイオード領域のP型シリコン基板1とN型エピタキシャル層5との間にN+ 型拡散層3と、これより深いN- 型拡散層2を埋込む。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板とその上に形成した第2導電型半導体層によってフォトダイオードを形成し、同一の第1導電型半導体基板上に信号処理回路を形成した回路内蔵受光素子において、フォトダイオード領域の第1導電型半導体基板と第2導電型半導体層との間に高不純物濃度の第2導電型半導体層と、この第2導電型半導体層より深い低不純物濃度の第2導電型半導体層を埋込んだことを特徴とする回路内蔵受光素子。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-082268
  
• 特開平2-196463
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-029135   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-082268
  
• 特開平2-196463