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J-GLOBAL ID：200903086994409007

イオンプレーティング装置

Inventor： 小鮒 定俊 ,  日下部 和利 ,  清水 康司
Applicant, Patent owner： 日本電子株式会社
Agent (1)： 井島 藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995044573
Publication number (International publication number)：1996246138
Application date： Mar. 03, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ルツボ部分における放電を防止し、精密な成膜を安定的に行うことができるイオンプレーティング装置を実現する。【構成】 チャンバー1内で形成されたプラズマ中の電子がルツボ2の方向に向かうが、この電子は、アース電極23に衝突して放電し、ルツボ2の表面がプラズマ中の電子によってチャージアップすることは防止される。また、フィラメント4から発生した電子ビームが材料3に衝突し、材料3から反射電子や2次電子が発生するが、これら反射電子や2次電子はルツボ2に接近して設けられたアース電極23に向かうことになり、ルツボ2の表面がチャージアップすることはない。

Claim (excerpt)：

チャンバーと、チャンバー内に設けられその上に蒸発材料が載せられるルツボと、ルツボを回転させる手段と、蒸発材料に向け電子ビームを照射するための電子銃と、蒸発しイオン化された材料が付着される基板と、チャンバーの側部に設けられ、チャンバー内の蒸発材料をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ電子銃と、チャンバー内のルツボの周囲に配置されたアース電極とを備えたイオンプレーティング装置。

IPC (2)：

C23C 14/32 ,  H05H 1/46

FI (2)：

C23C 14/32 Z ,  H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• イオンプレーティング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053325   Applicant：株式会社ニコン
• 特開平1-157041
  
• イオンビームエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-157769   Applicant：株式会社日立製作所