イオンプレーティング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井島藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995044573
Publication number (International publication number)：1996246138
Application date： Mar. 03, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】ルツボ部分における放電を防止し、精密な成膜を安定的に行うことができるイオンプレーティング装置を実現する。【構成】チャンバー1内で形成されたプラズマ中の電子がルツボ2の方向に向かうが、この電子は、アース電極23に衝突して放電し、ルツボ2の表面がプラズマ中の電子によってチャージアップすることは防止される。また、フィラメント4から発生した電子ビームが材料3に衝突し、材料3から反射電子や2次電子が発生するが、これら反射電子や2次電子はルツボ2に接近して設けられたアース電極23に向かうことになり、ルツボ2の表面がチャージアップすることはない。

Claim (excerpt)：

チャンバーと、チャンバー内に設けられその上に蒸発材料が載せられるルツボと、ルツボを回転させる手段と、蒸発材料に向け電子ビームを照射するための電子銃と、蒸発しイオン化された材料が付着される基板と、チャンバーの側部に設けられ、チャンバー内の蒸発材料をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ電子銃と、チャンバー内のルツボの周囲に配置されたアース電極とを備えたイオンプレーティング装置。

IPC (2)：

C23C 14/32 , H05H 1/46

FI (2)：

C23C 14/32 Z , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

イオンプレーティング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-053325 Applicant：株式会社ニコン
特開平1-157041
イオンビームエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-157769 Applicant：株式会社日立製作所

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