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J-GLOBAL ID:200903087017429756

導電性基板およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007013502
Publication number (International publication number):2007227906
Application date: Jan. 24, 2007
Publication date: Sep. 06, 2007
Summary:
【課題】 この発明は、透明で、モアレ現象が発生せず、特にプラズマディスプレイパネルで特徴的に求められる低周波領域での磁界シールド性にも優れる導電性基板を提供する。【解決手段】 基板の少なくとも片面に、金属微粒子層がランダムな網目状に積層され、該金属微粒子層上にめっき金属層が積層されたランダム網目層を有する導電性基板であって、該導電性基板の少なくとも片面の該めっき金属層の厚みが1.5μm以上であり、該導電性基板の全光線透過率が65%よりも大きく、かつ該導電性基板の少なくとも片面の表面比抵抗が0.5Ω/□よりも小さい、導電性基板。【選択図】なし
Claim (excerpt):
基板の少なくとも片面に、金属微粒子層がランダムな網目状に積層され、該金属微粒子層上にめっき金属層が積層されたランダム網目層を有する導電性基板であって、 該導電性基板の少なくとも片面の該めっき金属層の厚みが1.5μm以上であり、 該導電性基板の全光線透過率が65%よりも大きく、かつ該導電性基板の少なくとも片面の表面比抵抗が0.5Ω/□よりも小さい、 導電性基板。
IPC (5):
H05K 9/00 ,  G09F 9/00 ,  B32B 15/02 ,  B32B 15/04 ,  B32B 7/02
FI (6):
H05K9/00 V ,  G09F9/00 309A ,  G09F9/00 313 ,  B32B15/02 ,  B32B15/04 ,  B32B7/02 104
F-Term (70):
4F100AB01B ,  4F100AB01C ,  4F100AB01D ,  4F100AB01E ,  4F100AB17 ,  4F100AB24 ,  4F100AG00 ,  4F100AK41 ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA06 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10E ,  4F100BA25 ,  4F100DC16B ,  4F100DC16D ,  4F100DE01B ,  4F100DE01D ,  4F100EH46 ,  4F100EH462 ,  4F100EH71 ,  4F100EH712 ,  4F100EJ82 ,  4F100EJ822 ,  4F100EJ85 ,  4F100EJ852 ,  4F100EJ86 ,  4F100EJ862 ,  4F100GB41 ,  4F100JD06A ,  4F100JD06B ,  4F100JD06C ,  4F100JD06D ,  4F100JD06E ,  4F100JG04B ,  4F100JG04C ,  4F100JG04D ,  4F100JG04E ,  4F100JG06 ,  4F100JM01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100JN01D ,  4F100JN01E ,  4F100JN06B ,  4F100JN06D ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4F100YY00D ,  4F100YY00E ,  5E321AA04 ,  5E321AA23 ,  5E321BB23 ,  5E321BB41 ,  5E321BB44 ,  5E321CC16 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01 ,  5G435AA01 ,  5G435AA16 ,  5G435BB06 ,  5G435GG33 ,  5G435HH12 ,  5G435KK07
Patent cited by the Patent:
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