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J-GLOBAL ID：200903087064592720

超臨界乾燥方法

Inventor：
生津 英夫

About 生津 英夫


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003161353
Publication number (International publication number)：2004363404
Application date： Jun. 05, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：
【課題】超臨界状態とした後、パターンの変形などを起こすことなく、より迅速に減圧できるようにする。【解決手段】圧力容器の内部圧力及び内部温度を、二酸化炭素の臨界点(7.3MPa,31°C)以上とし、圧力容器内部が超臨界二酸化炭素104で充填された状態とする。次に、上述した状態の圧力容器内に、7.5MPaに加圧したヘリウムを導入し、また、内部の二酸化炭素を排出する。この後、圧力容器内より充填されている流体を排出して圧力容器内の圧力を低下させ、超臨界ヘリウム105を気化させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
所定のパターンが形成された基板を前記パターンと供に所定の液体に晒す第1工程と、 前記パターンに前記液体が付着している状態で、前記基板を容器内に配置し、この容器内に大気雰囲気では気体である第1物質を導入し、前記パターンに付着している液体を前記第1物質に混和させて前記パターンが前記第1物質に晒された状態とする第2工程と、 前記容器内を所定の温度及び所定の圧力の臨界条件として第1物質を超臨界状態として前記パターンが超臨界状態の前記第1物質に晒された状態とする第3工程と、 前記臨界条件とされた前記容器内に不活性気体である第2物質を超臨界状態として導入し、前記容器内より前記第1物質を排出して前記容器内を超臨界状態の前記第2物質で充填し、前記パターンが超臨界状態の前記第2物質に晒された状態とする第4工程と、 前記容器内の圧力を低下させて超臨界状態の前記第2物質を気化させる第5工程と を少なくとも備え、 前記第2物質は、二酸化炭素より分子量が小さい ことを特徴とする超臨界乾燥方法。
IPC (2)：
H01L21/304 ,  F26B21/14
FI (3)：
H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 648G ,  F26B21/14
F-Term (6)：
3L113AA01 ,  3L113AB02 ,  3L113AC28 ,  3L113BA34 ,  3L113DA04 ,  3L113DA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 超臨界乾燥方法および装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-358909   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 基板から汚染物を取り除く方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-010641   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
  • 物品を洗浄するための方法
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-557723   Applicant：プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド

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