Cu薄膜の形成法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999226463
Publication number (International publication number)：2000124157
Application date： Aug. 10, 1999
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】アスペクト比の大きい配線溝、ビアホールやコンタクトホール等の凹部を有する半導体基板に対し、凹部にボイドを生じることなくCu金属を埋め込み、低コストでCu薄膜を形成しうる方法の開発。【解決手段】アスペクト比が1〜30である配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部を有する半導体基板上にCu超微粒子独立分散液を塗布し、該分散液中の有機物質を分解するが、Cuを酸化しない雰囲気中で焼成してCuの金属薄膜を得、次いで該凹部以外の基板上にあるCuを除去して平坦化し、該凹部にCu薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

アスペクト比が1〜30である配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部を有する半導体基板上にCu超微粒子独立分散液を塗布し、該分散液中の有機物質を分解するが、Cuを酸化しない雰囲気中で焼成してCuの金属薄膜を得、次いで該凹部以外の基板上にあるCuを除去して平坦化し、該凹部にCu薄膜を形成することを特徴とするCu薄膜の形成法。

IPC (3)：

H01L 21/288 , C23C 24/08 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/288 Z , C23C 24/08 B , H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体基板への薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-255513 Applicant：真空冶金株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-210715 Applicant：株式会社日立製作所
多層回路基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-169827 Applicant：富士通株式会社

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