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J-GLOBAL ID：200903087113683019

酸化物イオン伝導体及びその製造方法

Inventor：
吉岡 秀樹

About 吉岡 秀樹


Applicant, Patent owner：
兵庫県

About 兵庫県


Agent (1)： 角田 嘉宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003362332
Publication number (International publication number)：2005126269
Application date： Oct. 22, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：
【課題】 低温でも酸化物イオン伝導度が高い酸化物イオン伝導体を提供すること。【解決手段】 下記一般式(1);La10±d(Si6-xMx)O27(1)(式中、Mは、同一若しくは異なって、Mg、Al、Sc、Ga、Y又はInを表す。dは、0.5である。)で表され、0<x≦0.9の関係を満たすことを特徴とする。【選択図】 図5-1
Claim (excerpt)：
下記一般式(1); La10±d(Si6-xMx)O27(1) (式中、Mは、同一若しくは異なって、Mg、Al、Sc、Ga、Y又はInを表す。dは、0.5である。)で表され、0<x≦0.9の関係を満たすことを特徴とする酸化物イオン伝導体。
IPC (10)：
C04B35/50 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 ,  C04B35/16 ,  G01N27/409 ,  G01N27/41 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12
FI (10)：
C04B35/50 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 500 ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z ,  H01M8/02 K ,  H01M8/12 ,  C04B35/16 Z ,  G01N27/58 B ,  G01N27/46 325J
F-Term (28)：
2G004BM04 ,  2G004BM07 ,  2G004BM10 ,  4D006GA41 ,  4D006MC03X ,  4D006NA39 ,  4D006NA51 ,  4D006NA63 ,  4D006PB62 ,  4D006PC80 ,  4G030AA07 ,  4G030AA11 ,  4G030AA13 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA03 ,  4G030BA07 ,  5G301CA02 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB06 ,  5H026BB08 ,  5H026CX05 ,  5H026EE13 ,  5H026HH08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 高酸化物イオン伝導体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-019534   Applicant：滝田祐作, 石原達己
  • 酸素イオン伝導体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-153792   Applicant：滝田祐作, 石原達己
Cited by examiner (1)
  • 酸素イオン伝導体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-153792   Applicant：滝田祐作, 石原達己
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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