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J-GLOBAL ID：200903087120827336

SiCエピタキシャル薄膜の多形制御の方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜

Inventor：
楠森 毅

About 楠森 毅

, 
武藤 八三

About 武藤 八三


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Agent (1)： 須藤 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003044966
Publication number (International publication number)：2004250301
Application date： Feb. 21, 2003
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：
【課題】SiCエピタキシャル薄膜の多形を作り分ける方法及び該方法により得られる高温相のSiCヘテロエピタキシャル薄膜を提供する。【解決手段】レーザアブレーション法によりSiCエピタキシャル薄膜の多形を作り分ける方法であって、SiCの単結晶体又は多結晶体のターゲットにパルスレーザを照射して蒸発させ、続いて、加熱した単結晶又は結晶性薄膜基板の上に堆積させることにより成膜を行う際に、レーザパルスの周波数を変化させることにより加熱した基板の表面の実効温度を目的とする多形のヘテロエピタキシャル温度まで上昇させて低温相から高温相の任意の多形のSiCエピタキシャル薄膜を作り分けることを特徴とするSiCエピタキシャル薄膜の多形の作製方法、及び該方法で作製した高温相のSiCエピタキシャル薄膜。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
SiCエピタキシャル薄膜の多形を作り分ける方法であって、真空雰囲気中でSiCのターゲットにパルスレーザ光を照射してターゲットを蒸発させ、それを加熱した単結晶又は結晶性基板の上に堆積させることによりSiC薄膜を作製する際に、所定の基板温度に対してレーザ周波数を変化させることにより加熱した基板の表面の実効温度を目的とする多形のヘテロエピタキシャル温度まで上昇させて低温相から高温相の任意の多形のSiCエピタキシャル薄膜を作り分けることを特徴とするSiCエピタキシャル薄膜の多形の作製方法。
IPC (5)：
C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203
FI (5)：
C30B29/36 A ,  C23C14/06 E ,  C23C14/28 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203 Z
F-Term (18)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA03 ,  4G077HA06 ,  4K029BA56 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029DB20 ,  4K029DC01 ,  4K029DC05 ,  4K029EA00 ,  5F103AA10 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH10 ,  5F103LL20 ,  5F103NN10 ,  5F103RR10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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